[发明专利]磁性随机存取存储单元、其写入方法及其制造方法无效
| 申请号： | 200710101076.3 | 申请日： | 2007-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN101064184A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 吴智濠;赖志煌;王郁仁;邓端理 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 非易失性磁性随机存取存储(MRAM)单元及其写入与制造方法。该MRAM单元包括字线，位线，以及磁性薄膜存储元件设置于该字线与位线的交叉处。该磁性薄膜存储元件包括由烯土元素及过渡金属元素构成的合金。被施加加热电流时，该字线可进行加热运作以加热该薄膜存储元件。加热该磁性薄膜存储元件至既定临界温度减低其矫顽性，而得以在施加磁场时容许磁性状态的翻转。磁性薄膜元件的磁性状态可依照异常霍尔效应原理而决定。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 随机存取 存储 单元 写入 方法 及其 制造 | ||
【主权项】：
1.一种磁性随机存取存储单元，包括：字线；位线；以及磁性薄膜存储元件，设置于所述字线及所述位线的交叉处，其中所述磁性薄膜存储元件包括由烯土元素和过渡金属元素构成的合金，其中被施加加热电流时，所述字线可进行加热运作以加热所述薄膜存储元件。
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