[发明专利]像素及其形成方法、存储电容、显示面板及光电装置有效
申请号: | 200710101078.2 | 申请日: | 2007-04-26 |
公开(公告)号: | CN101047194A | 公开(公告)日: | 2007-10-03 |
发明(设计)人: | 郑逸圣 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1362 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种像素及其形成方法,以及一种存储电容、显示面板及光电装置。存储电容设置于基板上,此存储电容包括半导体层、第一介电层、第一导电层、第二介电层以及第二导电层。其中半导体层设置于基板上,第一介电层则覆盖半导体层及基板,第一导电层部分设置于第一介电层上。第二介电层设置于第一导电层上,且第二介电层与第一导电层的侧边具有一斜度。而第二导电层则部分设置于第二介电层上。本发明可以提升存储电容的电容值,并保持像素呈像的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 像素 及其 形成 方法 存储 电容 显示 面板 光电 装置 | ||
【主权项】:
1.一种存储电容,设置于基板上,包括:至少一半导体层,设置于该基板上;至少一第一介电层,覆盖该半导体层及该基板;至少一第一导电层,设置于部分第一介电层上;至少一第二介电层,设置于该第一导电层上,该第二介电层与该第一导电层的堆叠侧边实质上具有斜度;以及至少一第二导电层,设置于部分第二介电层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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