[发明专利]激光结晶设备和激光结晶方法无效
| 申请号： | 200710101149.9 | 申请日： | 2004-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101086954A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木伸夫;宇塚达也 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社;株式会社日本激光 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/77;H01L21/84;H01L21/67;H01L21/687;H01L21/677;B23K26/00;B23K26/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种即便在使用CW激光时也能实现高生产量的激光结晶设备和激光结晶方法。所述激光结晶设备包含支承上面形成有半导体层的衬底的可移动试样台、以时分方式使激光束导向多个光路的器件，以及向试样台支承的衬底上的半导体层聚光并应用通过光路的激光束的光学器件。使用激光束在一个方向上扫描半导体层的第一个区域，并且使用激光束在相反方向上扫描半导体层的第二个区域。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 结晶 设备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种激光结晶设备，其包含：支承上面形成有半导体层的衬底的可移动试样台；向所述试样台支承的所述衬底上的所述半导体层施用激光束的光学器件；与所述试样台分开提供并且可以旋转所述衬底的旋转装置；以及能够至少在所述试样台和所述旋转装置之间传送所述衬底的传送装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
