[发明专利]用于切断电熔丝的半导体装置以及方法有效
| 申请号： | 200710101190.6 | 申请日： | 2007-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101071802A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 上田岳洋 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括在半导体衬底上形成并由导电体构成的电熔丝。在切断该电熔丝之前的情况下，该电熔丝包括上层互连，与该上层互连耦合的通路，以及与该通路耦合的下层互连，它们分别形成在不同的层中，以及其中在切断该电熔丝之后的情况下，该电熔丝包括由从该第二互连向外流动的导电体形成的流出区域，以及在第一互连与通路之间或在通路中形成的空隙区域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 切断 电熔丝 半导体 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：半导体衬底；以及在所述半导体衬底上形成并由导电体构成的电熔丝，其中在切断所述电熔丝之前的情况下，所述电熔丝包括：第一互连、与所述第一互连耦合的通路、以及与所述通路耦合的第二互连，它们分别形成在不同的层中，以及其中在切断所述电熔丝之后的情况下，所述电熔丝包括：流出区域，该流出区域由从所述第二互连向外流动的所述导电体所形成，以及包括在所述第一互连与所述通路之间或在所述通路中形成的空隙区域。
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