[发明专利]磁阻效应元件、磁头、磁记录再生装置以及磁存储器有效
| 申请号： | 200710101294.7 | 申请日： | 2005-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN101042874A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 福泽英明;汤浅裕美;岩崎仁志 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;G01R33/09 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁阻效应元件、磁头、磁记录再生装置以及磁存储器，该磁阻效应元件具有磁化方向实质上固定的第1磁性层；磁化方向根据外部磁场变化的第2磁性层；设置在上述第1磁性层与上述第2磁性层之间的磁性隔离层；和相对于包含上述第1磁性层、磁性隔离层以及第2磁性层的叠层膜的膜面垂直地通过电流的电极，其中，当外部磁场为0时，在上述磁性隔离层中，在从接近上述第1磁性层的区域到接近上述第2磁性层的区域之间，自旋方向成为扭曲大约90°的状态。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 磁头 记录 再生 装置 以及 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻效应元件，其特征在于，具有：磁化方向实质上固定的第1磁性层；磁化方向根据外部磁场变化的第2磁性层；设置在上述第1磁性层与上述第2磁性层之间的磁性隔离层；和相对于包含上述第1磁性层、磁性隔离层以及第2磁性层的叠层膜的膜面垂直地通过电流的电极，其中，当外部磁场为0时，在上述磁性隔离层中，在从接近上述第1磁性层的区域到接近上述第2磁性层的区域之间，自旋方向成为扭曲大约90°的状态。
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