[发明专利]可降低半导体功率转换电路震荡的电路结构及方法

摘要

一转换装置其包含有一高侧金属氧化物半导体场效应晶体管芯片，其具有一个第一高侧源极连接至一个低侧金属氧化物半导体场效应晶体管芯片的一低侧漏极。转换装置更包含有一瞬变反向电流转移电路，其连接至该低侧金属氧化物半导体场效应晶体管芯片的一漏极，以转移一反向瞬变电流，藉此在关闭该低侧金属氧化物半导体场效应晶体管时使一自该低侧金属氧化物半导体场效应晶体管芯片的一本体二极管通过的反向瞬变电流转移，以降低瞬变振铃震荡。此反向瞬变电流转移电路包含有一用以引导来自该漏极的反向瞬变电流的二极管。反向瞬变电流转移电路更包含有一连接于二极管与低侧金属氧化物半导体场效应晶体管芯片间的电容器。

主权项

1.一种用于转换电路中的半导体功率装置，其特征在于，包含有：一瞬变反向电流转移电路，其连接至该半导体功率装置的一漏极，以转移一反向的瞬变电流，此该反向的瞬变电流由通过该半导体功率装置的一本体二极管转移，因此减少瞬变振铃震荡。