[发明专利]在平坦化表面上开连接通孔的工艺

摘要

本发明提供一种在诸如用于垂直磁记录的磁写头的结构上在氧化铝保护层中形成通孔的方法。该衬底例如氧化铝填充层、磁成形层等形成有其中形成有接触垫的区域。诸如磁极和或磁尾屏蔽件的结构形成在衬底上且被厚氧化铝层覆盖。氧化铝可以通过不在氧化铝层中形成空隙或接缝的高沉积速率工艺来施加。氧化铝层然后可以通过化学机械抛光CMP工艺来平坦化且然后掩模结构例如光致抗蚀剂掩模形成在氧化铝层之上。该掩模结构形成有设置于接触垫之上的开口。然后进行反应离子研磨以去除在掩模中的开口处暴露的部分氧化铝层，由此在该氧化铝层中形成通孔。然后掩模可以被顶离且可以沉积导电材料到通孔中。

主权项

1.一种在结构中形成通孔的方法，包括：提供衬底；沉积电绝缘层；在该电绝缘层之上形成掩模，该掩模具有构造来定义通孔的开口；进行反应离子研磨以去除该导电层的未被该掩模保护的部分；以及沉积导电材料。