[发明专利]形成纳米级导电结构的方法及由此形成的半导体器件无效
| 申请号： | 200710101907.7 | 申请日： | 2007-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101064241A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 苏布拉马尼安·马亚·科拉克;李善雨;吕寅硕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/00;H01L23/48;H01L23/522;B82B3/00;B82B1/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种形成纳米级结构的方法，包括提供一衬底，在其上具有第一层，该第一层具有露出衬底区域的开口，以及将衬底与催化材料接触，其中该衬底的露出区域具有吸引催化材料的第一性能，以及该第一层具有排斥催化材料的第二性能。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 纳米 导电 结构 方法 由此 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种形成纳米级结构的方法，包括：提供一衬底，在其上具有第一层，该第一层具有露出衬底区域的开口；以及将衬底与催化材料接触，其中：衬底的露出区域具有吸引催化材料的第一性能，以及该第一层具有排斥催化材料的第二性能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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