[发明专利]电流垂直平面磁致电阻传感器无效
申请号: | 200710101998.4 | 申请日: | 2007-04-27 |
公开(公告)号: | CN101067933A | 公开(公告)日: | 2007-11-07 |
发明(设计)人: | 马修·J·凯里;杰弗里·R·奇尔德雷斯;斯蒂芬·马特;尼尔·史密斯 | 申请(专利权)人: | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
主分类号: | G11B5/39 | 分类号: | G11B5/39;H01L43/08;G01R33/09 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张波 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 电流垂直平面CPP磁致电阻传感器具有反平行自由APF结构作为自由层和用于所施加的偏置或检测电流的特定方向。APF结构具有第一自由铁磁层FL1、第二自由铁磁层FL2和反平行AP耦合APC层,APC层使FL1和FL2反铁磁耦合在一起从而FL1和FL2具有基本反平行的磁化方向并在存在磁场时一起转动。选择FL1和FL2的厚度以获得用于传感器的所需净自由层磁矩/面积,优选选择FL1的厚度大于FL1材料中电子的自旋扩散长度,以最大化电子的体自旋相关散射并因而最大化传感器信号。CPP传感器特别地利用从被钉扎铁磁层到APF结构指向的传统检测电流操作,引起对电流诱导噪声的抑制。 | ||
搜索关键词: | 电流 垂直 平面 致电 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种磁致电阻传感器,具有用于连接到检测电流源的电引线,且包括:具有面内磁化方向的被钉扎铁磁层;反平行自由APF结构,包括具有面内磁化方向的第一自由铁磁层FL1、具有基本反平行于FL1的磁化方向的面内磁化方向和比FL1的磁矩小的磁矩的第二自由铁磁层FL2、以及位于FL1和FL2之间并与之接触且基本由选自Ru、Ir、Rh、及其合金构成的组的材料构成的反平行耦合APC层;及导电间隔层,在所述被钉扎铁磁层和FL1之间并基本由选自Cu、Ag和Au构成的组的元素构成,其中当检测电流沿从所述被钉扎铁磁层到所述APF结构的方向垂直于所述传感器中的层平面施加时,所述传感器能够检测外磁场。
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