[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 200710102168.3 | 申请日： | 2007-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101179076A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 林孟竖;李达元;陈启群;陈世昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体基底，其包括硅；形成P型金属氧化物半导体装置，包括：在半导体基底上形成第一栅极介电层；在第一栅极介电层上形成第一栅极电极；以及在第一栅极电极及第一栅极介电层的侧壁形成第一栅极间隙壁；形成N型金属氧化物半导体装置，包括：在半导体基底上形成第二栅极介电层；在第二栅极介电层上形成第二栅极电极；以及形成氮化多晶硅再氧化层，其具有垂直部分及水平部分，其中垂直部分位于第二栅极电极及第二栅极介电层的侧壁，水平部分位于半导体基底上；以及在第二栅极电极及第二栅极介电层的侧壁形成第二栅极间隙壁，其中第二栅极间隙壁位于氮化多晶硅再氧化层的水平部分上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体基底，该半导体基底包括硅；形成P型金属氧化物半导体装置，包括：在该半导体基底上形成第一栅极介电层；在该第一栅极介电层上形成第一栅极电极；以及在该第一栅极电极及该第一栅极介电层的侧壁形成第一栅极间隙壁；形成N型金属氧化物半导体装置，包括：在该半导体基底上形成第二栅极介电层；在该第二栅极介电层上形成第二栅极电极；以及形成氮化多晶硅再氧化层，其具有垂直部分及水平部分，其中该垂直部分位于该第二栅极电极及该第二栅极介电层的侧壁，该水平部分位于该半导体基底上；以及在该第二栅极电极及该第二栅极介电层的侧壁形成第二栅极间隙壁，其中该第二栅极间隙壁位于该氮化多晶硅再氧化层的该水平部分上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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