[发明专利]具有连续接触蚀刻停止层的金属氧化物半导体元件有效
| 申请号： | 200710102170.0 | 申请日： | 2007-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101165917A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 姚亮吉;王祥保;林焕哲;徐鹏富;金鹰;陶宏远 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/43;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭晓东 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，包括一基板，一栅极堆栈于该基板上，一源极/漏极区域邻近该栅极堆栈，一源极/漏极硅化物区域于该源极/漏极区域上，一保护层于该源极/漏极硅化物区域上，其中位于该栅极堆栈上的一区域大致上无该保护层，以及一接触蚀刻停止层具一应力于该保护层上，且延伸于该栅极堆栈上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 连续 接触 蚀刻 停止 金属 氧化物 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一基板；一栅极堆栈于该基板上；一源极/漏极区域邻近该栅极堆栈；一源极/漏极硅化物区域于该一源极/漏极区域上；一保护层于该源极/漏极硅化物区域上，其中位于该栅极堆栈上的一区域大致上无该保护层；以及一接触蚀刻停止层于该保护层上。
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