[发明专利]热促进编程的磁性存储元件方法及装置

摘要

本发明公开了一种磁性存储元件，其包括磁性存储单元，此磁性存储单元包括被钉扎层以及自由层，自由层以绝缘层而与被钉扎层分离。此磁性存储元件亦包括接触至自由层的热盘。此磁性存储元件配置为可以利用流经此热盘的第一电流来加热此热盘。此自由层的磁性性质可被第一电流所导致的加热作用而改变，进而更容易切换自由层的磁化方向。接着可使第二电流流经接近自由层的位线，产生足以切换自由层的磁化方向的磁场。

主权项

1、一种磁性存储元件，包括：磁性存储单元，所述磁性存储单元包括：被钉扎层，包括被钉扎的磁化方向；钉扎层，位于所述被钉扎层之下，配置为固定所述被钉扎层的磁化方向；绝缘层，位于所述被钉扎层上；自由层，位于所述绝缘层上，其包括可切换的磁化方向；以及热盘，耦接至所述自由层，当所述热盘温度低于特定温度时，所述热盘通过交换偏压耦合效应决定所述自由层的磁化方向。