[发明专利]双稳态电阻随机存取存储器的结构与方法有效
| 申请号： | 200710102191.2 | 申请日： | 2007-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101068039A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 何家骅;赖二琨;谢光宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/82;G11C11/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明描述了用以形成双稳态电阻随机存取存储器的结构和方法，其通过在存储器单元元件之内界定加热区域，而减少从电极所散失的热量。此加热区域界定于核心构件中，其包括可编程电阻存储材料其接触至上可编程电阻存储构件与下可编程电阻存储构件。此下可编程电阻构件的侧边对准至包括有钨栓塞的底电极的侧边。此下可编程电阻构件与此底电极作用为第一导体，使得从第一导体所散失的热量可减少。上可编程电阻存储材料与顶电极作用为第二导体，使得从此第二导体所散失的热量可减少。 | ||
| 搜索关键词： | 双稳态 电阻 随机存取存储器 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、一种存储元件，包括：顶电极结构，其垂直地与底电极分离，所述底电极包括栓塞；上可编程电阻存储构件，其具有与所述顶电极结构电接触的接触表面；下可编程电阻存储构件，其具有与所述底电极电接触的接触表面，所述下可编程电阻存储构件的侧边与所述栓塞的侧边对准；以及核心构件，其包括可编程电阻存储材料，所述可编程电阻存储材料设置于侧壁子之内以界定加热区域，并设置于所述上与下可编程电阻存储构件之间，所述核心构件电接触至所述上与下可编程电阻存储构件。
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