[发明专利]薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物无效
| 申请号： | 200710102300.0 | 申请日： | 2007-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN101070596A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 李骐范;曺三永;金南绪;具炳秀 | 申请（专利权）人： | 东进世美肯株式会社 |
| 主分类号： | C23F1/16 | 分类号： | C23F1/16;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰;赵冬梅 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，通过使用该组合物即可利用单一工序来对构成薄膜晶体管液品显示装置的TFT中的作为栅极配线材料的Mo/AlNd双重膜或Mo/AlNd/Mo三重膜进行湿式蚀刻以获得优异的锥形而不会产生作为下部膜的AlNd或Mo的底切现象，同时使得作为源极/漏极配线材料的Mo单一膜和Mo/AlNd/Mo三重膜也可以形成优异的轮廓。本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，特别是涉及含有a)磷酸、b)硝酸、c)乙酸、d)锂类化合物、e)磷酸盐类化合物和f)水的薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 液晶 显示装置 蚀刻 组合 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，该蚀刻组合物的特征在于，其含有：50重量％～80重量％的a)磷酸、2重量％～15重量％的b)硝酸、3重量％～20重量％的c)乙酸、0.05重量％～3重量％的d)锂类化合物、0.1重量％～5重量％的e)磷酸盐类化合物、以及余量的f)水。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东进世美肯株式会社，未经东进世美肯株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710102300.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
