[发明专利]半导体器件及形成该半导体器件的方法

摘要

一种半导体器件和形成该器件的方法。该半导体器件包括在第一导电元件上面形成的导电纳米管，使得在导电纳米管的底侧与第一导电元件的顶侧之间存在第一间隙。在该导电纳米管上面形成第二绝缘层。在该导电纳米管的顶侧与第二绝缘层的第一部分之间存在第二间隙。第一通路开口和第二通路开口延伸穿过该第二绝缘层，并进入第二间隙。

主权项

1.一种半导体器件，包括：基片；第一导电元件，其形成于所述基片的第一部分上；第一绝缘层，其形成于所述基片的第二部分上；导电纳米管，其形成于所述第一绝缘层和所述第一导电元件的上面，使得在所述导电纳米管的底侧与所述第一导电元件的顶侧之间存在第一间隙，其中所述导电纳米管适合于被激活，使得使所述导电纳米管与所述第一导电元件电连接；第二导电元件，其形成于所述第一绝缘层的上面，并与所述导电纳米管电接触；第三导电元件，其形成于所述第一绝缘层的上面，并与所述导电纳米管电接触；第二绝缘层，其形成于所述第二导电元件、所述第三导电元件和所述导电纳米管的上面，其中在导电纳米管的顶侧与所述第二绝缘层的第一部分之间存在第二间隙，其中第一通路开口延伸穿过所述第二绝缘层并进入所述第二间隙，并且其中第二通路开口延伸穿过所述第二绝缘层并进入所述第二间隙；以及第三绝缘层，其形成于所述第二层、所述第一通路开口和所述第二通路开口的上面。