[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

提供了一种半导体器件，它包括位于绝缘表面上的半导体层以及位于该半导体层上的绝缘层。该半导体层包括至少两个元件区域以及一个元件隔离区域。该元件隔离区域被设置在这两个元件区域之间。元件隔离区域包括选自氧、氮和碳中的至少一种杂质元素。与上述两个元件区域之一中所包括的第一源极和漏极区域以及上述两个元件区域中的另一个元件区域中所包括的第二源极和漏极区域相比，元件隔离区域具有更高的阻抗。

主权项

1.一种半导体器件，包括：位于绝缘表面上的半导体层，所述半导体层包括至少两个元件区域和一个元件隔离区域，以及位于所述半导体层上的绝缘层，其中：所述元件隔离区域被设置在所述两个元件区域之间，所述元件隔离区域包括从由氧、氮和碳组成的组中选出的至少一种杂质元素，并且与所述两个元件区域之一所包括的第一源极和漏极区域，以及所述两个元件区域中另一个所包括的第二源极和漏极区域相比，所述元件隔离区域具有更高的阻抗。