[发明专利]磁阻元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710102978.9 | 申请日： | 2007-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN101064358A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 福泽英明;藤庆彦;汤浅裕美;岩崎仁志 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01F10/32;G11B5/39;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 徐申民;张惠萍 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的磁阻元件包括：具有基本上固定的磁化方向的第一磁性层；设置于该第一磁性层上、具有氧化物、氮化物、氧氮化物、以及金属其中至少一种的薄膜层；以及设置于该薄膜层上、具有基本上固定的磁化方向的第二磁性层。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻元件，其特征在于，包括：具有基本上固定的磁化方向的第一磁性层；设置于所述第一磁性层上、具有氧化物、氮化物、氧氮化物、以及金属其中至少一种的薄膜层；以及设置于所述薄膜层上、具有基本上固定的磁化方向的第二磁性层。
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