[发明专利]有机电激发光显示装置、光电装置及其形成方法无效
申请号: | 200710103216.0 | 申请日: | 2007-05-10 |
公开(公告)号: | CN101051649A | 公开(公告)日: | 2007-10-10 |
发明(设计)人: | 赵清烟;萧夏彩;李君浩;魏茂国;林晃岩 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H05B33/12 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种有机电激发光显示装置、光电装置及其形成方法,包括:基板,具有第一表面及第二表面;多个微透镜结构形成于该基板的第一表面;以及多个像素结构形成于该基板的第二表面,而每一像素结构具有多个子像素,其中任两个相邻像素结构的子像素间的最近距离实质上大于同一像素结构内的子像素间的最近距离。本发明的主要设计重点在于,使得任两个相邻的像素结构的子像素间的最近距离实质上大于同一像素结构内的子像素间的最近距离。如此一来,观察者在接受微透镜所导出来自于子像素所发出的光时,不会因为视觉直视的效果,将其它颜色的子像素与其观察到的子像素重叠,因此可彻底避免显示装置图像模糊的现象。 | ||
搜索关键词: | 机电 激发 显示装置 光电 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种有机电激发光显示装置,包括:基板,其具有第一表面及第二表面;多个微透镜,形成于该基板的第一表面;以及多个像素结构,形成于该基板的第二表面,每一像素结构具有多个子像素,且任两个相邻像素结构的子像素间的最近距离实质上大于同一像素结构内的子像素间的最近距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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