[发明专利]具有应力器件沟道的半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200710103297.4 | 申请日： | 2007-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101087002A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 骆志炯;里基·阿默斯;尼沃·洛维多;亨利·K.·尤托莫 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L27/088;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/822;H01L21/8234;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 具有应力器件沟道的半导体结构及其形成方法。一种具有分级的掺杂剂分布的多层埋置应力器，其用于在半导体结构中对器件沟道区引发应力。本发明的多层埋置应力器在半导体结构的如下区域内形成，其中典型地定位有源极/漏极区。本发明的多层埋置应力器包括非掺杂或轻掺杂的第一共形外延半导体层，和相对于第一外延半导体层高掺杂的第二外延半导体层。第一和第二外延半导体层的每一个具有相同的点阵常数，其与埋置它们的基片的点阵常数不同。包含本发明多层埋置应力器的结构在应力接近度和短沟道效应之间获得了良好的平衡，甚至消除或大大减少了在形成深源极/漏极区期间通常会产生的任何可能的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应力 器件 沟道 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其具有应力器件沟道，包括：至少一个位于半导体基片的一个表面上的场效应晶体管；和多层埋置应力器，其具有分级的掺杂剂分布和位于该至少一个场效应晶体管的占位区上，并处于所述半导体基片凹陷区内的至少第一共形外延半导体层，其中所述多层埋置应力器在所述至少一个场效应晶体管的沟道区上引发应力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710103297.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种假捻变形机的复合双锭组假捻装置
- 下一篇：鱼肉色泽处理方法
- 同类专利
- 专利分类
