[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710103308.9 申请日: 2007-05-18
公开(公告)号: CN101232032A 公开(公告)日: 2008-07-30
发明(设计)人: 林志旻 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L23/485;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/60;H01L21/768
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括:基板,其包括图像传感器区和电路区,其中上述电路区包括接合焊盘区和连线区;多层互连线结构,形成于上述基板上,其中上述多层互连线结构包括多个介电层、多条较低导线和顶连线,上述多条较低导线位于上述接合焊盘区和上述连线区中,上述顶连线位于上述连线区中的至少一根较低导线上;保护层,形成于上述多层互连线结构上方;接合焊盘结构,形成于上述保护层和至少一个介电层中,且电连接至位于上述接合焊盘区中的至少一根较低导线。本发明可以避免光敏感度的衰减和色度亮度干扰的问题,因此可以提升图像传感器的性能。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:基板,其包括图像传感器区和电路区,其中该电路区包括接合焊盘区和连线区;多层互连线结构,形成于该基板上,其中该多层互连线结构包括多个介电层、多根较低导线和顶连线,所述多根较低导线位于该接合焊盘区和该连线区中,该顶连线位于该连线区中的至少一根较低导线上;保护层,形成于该多层互连线结构上方;以及接合焊盘结构,形成于该保护层和至少一个介电层中,以及该接合焊盘区中的至少一根较低导线上,且该接合焊盘结构电连接至该接合焊盘区中的至少一根较低导线。
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