[发明专利]多端口存储器自我修复电路及方法有效

专利信息
申请号: 200710103427.4 申请日: 2007-05-09
公开(公告)号: CN101303898A 公开(公告)日: 2008-11-12
发明(设计)人: 曾子维;黄瑜真;吴俊贤;李进福;包建元 申请(专利权)人: 智原科技股份有限公司
主分类号: G11C29/44 分类号: G11C29/44
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 蒲迈文;黄小临
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种多端口存储器自我修复电路以及其对应方法,上述的自我修复电路包括测试分析模块以及瑕疵定位模块。其中瑕疵定位模块耦接于测试分析模块。测试分析模块测试一可修复多端口存储器以产生一错误位置,并根据错误位置判断上述测试是否产生端口相关错误。若上述测试产生端口相关错误,则瑕疵定位模块根据错误位置产生一瑕疵位置并提供瑕疵位置至测试分析模块,测试分析模块根据瑕疵位置决定如何修复上述可修复多端口存储器。反之,若上述测试未产生端口相关错误,则测试分析模块根据错误位置决定如何修复上述可修复多端口存储器。
搜索关键词: 多端 存储器 自我 修复 电路 方法
【主权项】:
1.一种多端口存储器自我修复电路,包括:一测试分析模块;以及一瑕疵定位模块,耦接于该测试分析模块;其中该测试分析模块测试一可修复多端口存储器以产生一错误位置,并根据该错误位置判断该测试是否产生端口相关错误,若该测试产生端口相关错误,则该瑕疵定位模块根据该错误位置产生一瑕疵位置并提供该瑕疵位置至该测试分析模块,该测试分析模块根据该瑕疵位置决定如何修复该可修复多端口存储器。
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