[发明专利]去除离子注入光敏抗蚀剂的方法无效
| 申请号： | 200710103459.4 | 申请日： | 2007-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN101075552A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 韩智惠;文玉敏;金愚镇;尹孝燮;朴志镕;吴起俊 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;G03F7/42;G03F7/26 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种去除离子注入光敏抗蚀剂的方法，包括：使用应用了兆声工艺的热去离子水第一次清洗具有离子注入的光敏抗蚀剂的半导体衬底；使用冷去离子水第一次漂洗该半导体衬底；干燥该半导体衬底；去除该离子注入的光敏抗蚀剂；以及使用硫酸过氧化氢混合物(SPM)溶液第二次清洗该半导体衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 离子 注入 光敏 抗蚀剂 方法 | ||
【主权项】：
1.一种去除离子注入的光敏抗蚀剂的方法，包括：使用应用了兆声工艺的热去离子水第一次清洗具有离子注入的光敏抗蚀剂的半导体衬底；使用冷去离子水第一次漂洗所述半导体衬底；干燥所述半导体衬底；去除所述离子注入的光敏抗蚀剂；以及使用硫酸过氧化氢混合物溶液第二次清洗所述半导体衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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