[发明专利]多晶硅薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200710103856.1 | 申请日： | 2007-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN101162690A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 韩圭完;柳相吉;金亨植;沃若诺夫·亚历山大;卢喆来 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/268;H01L21/336;B23K26/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;李云霞 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造多晶硅薄膜晶体管的方法。该方法的一个实施例包括以下步骤：在面板上形成非晶硅层；对非晶硅层扫描连续波激光束以对非晶硅层进行预热，其中，连续波激光束具有处于红色可见光范围和近红外范围之间的大约600nm至大约900nm的波长范围；除了连续波激光束之外，还对面板重叠扫描脉冲激光束以将被预热的非晶硅层熔化，其中，脉冲激光束具有处于可见光范围和紫外范围之间的大约100nm至大约550nm的波长范围；停止扫描脉冲激光束以使被熔化的硅层晶化。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造多晶硅薄膜晶体管的方法，所述方法包括：提供非晶硅层；在第一时间段，对所述非晶硅层施加具有大约600nm至大约900nm的波长的连续波激光束；在所述第一时间段内的第二时间段，对所述硅层施加具有大约100nm至大约550nm的波长的脉冲激光束，使得在所述第二时间段内所述脉冲激光束与所述连续波激光束至少部分重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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