[发明专利]半导体存储器和刷新周期控制方法有效
| 申请号： | 200710103967.2 | 申请日： | 2007-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN101075478A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 森郁 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储器和刷新周期控制方法，通过根据半导体存储器温度适当改变刷新周期来降低待机电流。其中：温度检测部检测半导体存储器的温度。周期变化控制部发送周期变化信号，以在半导体存储器的温度达到预定周期变化温度时改变刷新周期。刷新时机信号产生部产生刷新时机信号，并响应周期变化信号改变刷新时机信号的周期。恒流产生电路产生产生刷新时机信号所用的电流。低温恒流设置电路用于在半导体存储器温度低于或等于周期变化温度的情况下指定产生信号的电平。高温恒流设置电路用于在半导体存储器温度高于该周期变化温度的情况下指定产生信号的电平。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 刷新 周期 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种需要刷新操作的半导体存储器，包括：温度检测部，用于检测所述半导体存储器的温度；周期变化控制部，用于发送周期变化信号，以在所述半导体存储器的温度达到预定周期变化温度时改变刷新周期；刷新时机信号产生部，用于产生刷新时机信号，并用于响应所述周期变化信号改变所述刷新时机信号的周期；信号产生电路，用于产生用来产生所述刷新时机信号的信号；第一设置电路，用于指定在所述半导体存储器温度低于或等于所述周期变化温度的情况下所产生的信号的电平；以及第二设置电路，用于指定在所述半导体存储器温度高于所述周期变化温度的情况下所产生的信号的电平。
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