[发明专利]铝导线的制作方法无效
| 申请号： | 200710103984.6 | 申请日： | 2007-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN101308809A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 陈威仁;谢荣源;杨立民;王炳尧 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种铝导线的制作方法。首先，提供基底。然后，在基底上依序形成铝金属层与掩模层。接着，图案化掩模层与铝金属层，而在铝金属层中形成多个沟槽。之后，在沟槽侧壁形成多个间隙壁，其中间隙壁与铝金属层具有不同的蚀刻速率。接着，移除未被掩模层与间隙壁覆盖的铝金属层，直到暴露基底，以形成多个铝导线。 | ||
| 搜索关键词： | 导线 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种铝导线的制作方法，包括：提供基底；在该基底上依序形成铝金属层与掩模层；图案化该掩模层与该铝金属层，而在该铝金属层中形成多个沟槽；在这些沟槽侧壁形成多个间隙壁，其中这些间隙壁与该铝金属层具有不同的蚀刻速率；以及移除未被图案化的该掩模层与这些间隙壁覆盖的该铝金属层，直到暴露该基底，以形成多个铝导线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力晶半导体股份有限公司，未经力晶半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710103984.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：大型渡槽预应力施工方法
- 下一篇：一种连续生产多晶硅锭的定向凝固方法及其装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
