[发明专利]从有机氨基硅烷前体制备氧化硅薄膜的方法

摘要

从有机氨基硅烷前体制备氧化硅薄膜的方法。本发明涉及一种通过CVD在底物上沉积氧化硅层的方法。其中烷基具有至少两个碳原子的有机氨基硅烷前体在氧化剂存在下的反应允许形成氧化硅薄膜。所述的有机氨基硅烷类化合物由上图表示：二异丙基氨基硅烷的用途是形成氧化硅薄膜的优选前体。

主权项

1.一种通过与氧化剂反应经过硅烷氧化物前体的化学气相淀积在底物上形成氧化硅薄膜的方法，该方法包括：使用选自下式表示的有机氨基硅烷的硅烷前体：其中R和R¹选自直链、支链或环状、饱和或不饱和的C₂-C₁₀烷基、芳香基、烷基氨基；在式A和式C中的R和R¹还可以形成环状基团(CH₂)_n，其中n是1-6，并且R²表示单键、(CH₂)_n链、环、SiR₂或SiH₂。