[发明专利]利用图案掩模的等离子体蚀刻法

摘要

本发明提供了一种利用图案掩模(Pattern Mask)的等离子体(Plasma)蚀刻法。晶片上的两区域具有两种不同的组件，包含硅与砷化镓。硅区域是用于制作一般半导体组件；而砷化镓的区域是用于制作射频(RF)组件。硅区域上的接合垫的材质通常为金属，但金属氧化物通常形成于接合垫上。金属氧化物不利于之后的制作过程，因此，该金属氧化物应通过等离子体蚀刻程序而移除。一薄膜附着于暴露欲蚀刻区域的基材表面。随后，一掩模附着并对位至该薄膜，暴露欲蚀刻的区域。最后，施加等离子体蚀刻于基材上，以移除金属氧化物。

主权项

1.一种利用图案掩模的等离子体蚀刻法，其特征在于，包含：提供一掩模，在该掩模上形成一缓冲薄膜，其中该掩模至少具有一个开口，该开口透过该掩模至缓冲薄膜；通过缓冲薄膜，所述掩模被黏附于一晶片上，覆盖部分的该晶片，以允许至少一个开口暴露一蚀刻用的区域；以及通过该至少一个开口，实施一干蚀刻程序。