[发明专利]被处理件的处理方法及处理装置有效
| 申请号： | 200710104480.6 | 申请日： | 2002-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101038863A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 西川浩 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/3065;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种被处理件的处理方法及其处理装置，在设置于减压环境的处理室内的载置台上载置了被处理件的状态下，在对前述被处理件实施设定的处理的处理方法中，在前述载置台上未载置被处理件时，从所述处理室内与所述载置台对置的上部电极供给惰性气体，在前述载置台的载置面上形成气体层。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种处理方法，在设置于减压环境的处理室内的载置台上载置被处理件的状态下，对所述被处理件实施设定的处理，其特征在于，在所述载置台上未载置被处理件时，向所述载置台上方喷出惰性气体，形成由被加温的热气体的所述惰性气体构成的气体层，以覆盖包含载置面的所述载置台，所述惰性气体从所述处理室内与所述载置台对置的上部电极供给。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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