[发明专利]相变化存储装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200710104503.3 | 申请日： | 2007-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101312230A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 陈达;卓言;许宏辉;叶吉田;蔡铭进 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种相变化存储装置及其制造方法，该相变化存储装置包括：第一电极，设置于第一介电层内；第二介电层，设置于该第一介电层与该第一电极之上；相变化材料层，设置于该第二介电层内并电连接该第一电极；第三介电层，设置于该第二介电层之上；第二电极，设置于该第三介电层内并电连接该相变化材料层；以及至少一空室(gap)，设置于该第一介电层与该第二介电层之内，以至少隔离部分的该相变化材料层与其邻近的该第一介电层或该第二介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变化存储装置，包括：第一电极，设置于第一介电层内；第二介电层，设置于该第一介电层与该第一电极之上；相变化材料层，设置于该第二介电层内并电连接该第一电极；第三介电层，设置于该第二介电层之上；第二电极，设置于该第三介电层内并电连接该相变化材料层；以及至少一空室，设置于该第一介电层或该第二介电层之内，以至少隔离部分的该相变化材料层与其邻近的该第一介电层或该第二介电层。
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