[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710104703.9 | 申请日： | 2007-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101068004A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | A·C·莫卡塔;K·里姆;D·奇达姆巴尔拉奥;D·M·翁索戈;R·A·多纳顿 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/04;H01L29/78;H01L29/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体结构和制造半导体器件并且具体是NFET器件的方法。该器件包括在应力诱发层之上提供的应力接收层，在这些层之间的界面处有如下材料，该材料减少失配位错在结构中的出现和传播。应力接收层是硅(Si)，应力诱发层是硅锗(SiGe)，而该材料是通过在器件形成期间对这些层进行掺杂提供的碳。也可以在整个SiGe层中掺杂碳。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体结构的方法，包括：在应力诱发层之上形成应力接收层，其中在所述应力诱发层与所述应力接收层之间存在有界面；以及在所述应力接收层与所述应力诱发层之间的所述界面处提供材料的碳掺杂，以减少所述界面处的失配位错。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
