[发明专利]电光装置以及电子设备有效
申请号: | 200710104767.9 | 申请日: | 2007-04-26 |
公开(公告)号: | CN101064322A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | 平林幸哉;佐藤尚 | 申请(专利权)人: | 爱普生映像元器件有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 李峥;于静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供即使在使保持电容的电介质层变薄的情况下,也能够防止在下电极的外周端部和上电极重叠的部分的耐压强度的降低的电光装置以及具备该电光装置的电子设备。在构成液晶装置的保持电容时,形成栅极绝缘层(4)的厚的下层侧栅极绝缘层(4a),利用干性蚀刻除去与下电极(3c)重叠的部分的下层侧栅极绝缘层(4a)。然后,形成薄的上层侧栅极绝缘层(4b),把该上层侧栅极绝缘层(4b)用作保持电容(1h)的电介质层(4c)。此时,至少在下电极(3c)的外周端部和上电极(6c)重叠的部分,成为栅极绝缘层(4)的下层侧栅极绝缘层(4a)和上层侧栅极绝缘层(4b)层叠的厚膜部分。 | ||
搜索关键词: | 电光 装置 以及 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种电光装置,其特征在于,具备:在元件基板上的多个各个像素区域的每一个上,层叠有栅极电极、栅极绝缘层和半导体层的薄膜晶体管;与该薄膜晶体管的漏极区域电连接的像素电极;以及具备夹着采用了构成所述栅极绝缘层的材料的绝缘层相对的下电极和上电极的保持电容;其中,所述上电极形成为与所述下电极的外周端部的至少一部分重叠;所述栅极绝缘层,在所述下电极和所述上电极重叠的区域的至少内侧区域上具有膜厚薄的薄膜部分,在至少所述下电极的外周端部和所述上电极重叠的部分具有膜厚比所述薄膜部分厚的厚膜部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的