[发明专利]太阳能电池在审
| 申请号： | 200710104806.5 | 申请日： | 2007-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101312219A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 黄文瑞;林进章 | 申请（专利权）人： | 国硕科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄健 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种太阳能电池，包括：基板，于基板之中具有p－n掺杂结构；缓冲层，形成于基板之上；凹槽图案，形成于缓冲层之中，缓冲层的材料包含但不限定为氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNX)、氮氧化硅层或其组合，缓冲层的优选厚度为50－70纳米，且以溅镀法形成所述缓冲层；金属层，形成于缓冲层之上，并填入凹槽图案。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池，其特征在于，该太阳能电池包括：基板，包含p-n掺杂结构形成于该基板中；缓冲层，形成于所述基板的背面，且该缓冲层中具有凹槽；以及金属层，附着于所述缓冲层，并填入所述凹槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
