[发明专利]等离子体处理装置及其所使用的电极有效
申请号: | 200710104890.0 | 申请日: | 2007-05-24 |
公开(公告)号: | CN101083203A | 公开(公告)日: | 2007-12-05 |
发明(设计)人: | 笠原稔大 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/3065;H05H1/46;H05H1/34;H05H1/24;H01J37/32;H01J37/04;G02F1/133 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种等离子体处理装置及其所使用的电极,根据平板显示器用基板的等离子体处理的种类或处理条件进行最佳的处理气体的供给。配置于处理室(200)内的上部电极(300)包括:相对下部电极(212)的电极板(310);支撑电极板的电极支撑体(320);在电极支撑体中,在与电极板之间形成的、处理气体所导入的缓冲室(330);以及用来将缓冲室(330)划分成多个室的环形形状的划分壁(350),其中,划分壁夹入电极支撑体与电极板之间而被保持。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 及其 使用 电极 | ||
【主权项】:
1.一种电极,其特征在于:其是在处理室内相对配置第一电极与第二电极,将处理气体导入到支撑于所述第二电极的平板显示器用基板上并将高频电力供给到所述电极的一方或双方而生成等离子体,由此,作为对所述平板显示器用基板施行规定的等离子体处理的等离子体处理装置的所述第一电极用的电极,该电极包括:电极板,形成有相对所述第二电极向所述处理室内喷出所述处理气体用的多个气体喷出孔;支撑所述电极板的支撑体;在所述支撑体处,在与所述电极板之间所形成的、所述处理气体所导入的中空部;以及用来将所述中空部划分成多个室的环状的划分壁,其中,所述划分壁夹入所述支撑体与所述电极板之间而被保持。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造