[发明专利]存储器元件有效
| 申请号： | 200710105217.9 | 申请日： | 2007-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101093858A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述用于在具有多个存储单元的电荷陷入存储器中增大存储器操作裕度的方法和结构，前述多个存储单元中每一存储单元能够储存多个位。在本发明的第一观点，描述在单一存储单元二位的存储器中增大存储器操作裕度的第一方法，其通过施加正栅极电压+Vg将存储单元抹除为负电压准位来进行。或者，将负栅极电压－Vg施加到前述单一存储单元二位的存储器以便将存储单元抹除为负电压准位。增大存储器操作裕度的第二方法是将存储单元抹除为低于初始临界电压准位的电压准位。这两种抹除方法可在程序化步骤之前(即，预程序化抹除操作)或在程序化步骤之后(即，后程序化抹除操作)实施。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 | ||
【主权项】：
1.一种具有多个位的存储器元件，前述存储器元件具有左位及右位，其特征在于包括：基底；配置于前述基底上的底部介电结构，前述底部介电结构具有一个或一个以上的介电层；覆盖前述底部介电结构的第一电荷陷入层；配置于前述第一电荷陷入层上的顶部介电层；以及覆盖前述顶部介电结构的导电层，其中前述存储器元件通过抹除操作而被抹除到负的临界电压准位。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710105217.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
