[发明专利]新型多层无芯支撑结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200710105226.8 | 申请日： | 2007-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN101241861A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | D.·胡尔维茨;E.·埃格纳;B.·斯坦特尼科夫;B.·麦考利;M.·法卡施 | 申请（专利权）人： | Amitec多层互连技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 以色列;IL |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型多层无芯支撑结构的制作方法，该制作方法包含有阶段：I－在牺牲载体上制作含有由绝缘材料包围的传导通孔的膜；II－从牺牲载体上剥离所述膜，形成独立式的层状阵列；该膜含有位于绝缘材料中的通孔阵列。本发明还公开了一种新型多层无芯支撑结构的制作方法，至少包含有阶段：(I)在牺牲载体上制作含有由绝缘材料包围的传导通孔的膜；(II)从牺牲载体上剥离所述膜，形成独立式的层状阵列；(V)减薄、平整；(VII)终端阶段。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 多层 支撑 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种新型多层无芯支撑结构的制作方法，其特征在于，该制作方法包含有阶段：I-在牺牲载体上制作含有由绝缘材料包围的传导通孔的膜；II-从牺牲载体上剥离所述膜，形成独立式层状阵列；所述膜含有位于绝缘材料中的通孔阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
