[发明专利]包含用于驱动静电型致动器的电路的半导体集成电路、MEMS及静电型致动器的驱动方法有效
申请号: | 200710105311.4 | 申请日: | 2007-02-09 |
公开(公告)号: | CN101043030A | 公开(公告)日: | 2007-09-26 |
发明(设计)人: | 池桥民雄;山崎宏明 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01H59/00;B81B7/02 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 李峥;杨晓光 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 半导体集成电路具有静电型致动器、检测电路、存储电路及偏置电路。上述静电型致动器具有上部电极、下部电极及在上述上部电极和上述下部电极间配置的上述绝缘膜。上述检测电路检测上述静电型致动器的上述绝缘膜中所积蓄的上述电荷量。上述存储电路存储由上述检测电路检测的上述电荷量的检测结果。上述偏置电路根据上述存储电路存储的上述检测结果,使用于驱动上述静电型致动器的驱动电压变化。 | ||
搜索关键词: | 包含 用于 驱动 静电 型致动器 电路 半导体 集成电路 mems 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体集成电路,包括:具有上部电极、下部电极及在上述上部电极和上述下部电极之间配置的绝缘膜的静电型致动器;检测在上述静电型致动器的上述绝缘膜中积蓄的电荷量的检测电路;存储由上述检测电路检测的上述电荷量的检测结果的存储电路;以及根据上述存储电路所存储的上述检测结果,使用于驱动上述静电型致动器的驱动电压变化的偏置电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的