[发明专利]一种分裂槽栅快闪存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 200710105964.2 | 申请日： | 2007-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101110449A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 周发龙;吴大可;黄如;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种分裂槽栅快闪存储器及其制备方法，属于超大规模集成电路中的非挥发性半导体存储器技术领域。该快闪存储器基于平面结构，其沟道的两端与n+源和漏之间，各有一个完全相同的沟槽，沟槽的正下方包括一部分的沟道和一部分的n+源或漏；沟道分为三个部分，沟道的两端各有一个与沟槽对应的非平面沟道，沟道的中间为平面沟道，在沟道的区域形成分裂槽栅结构；多晶硅控制栅和栅堆栈结构完全覆盖沟槽和沟道，多晶硅控制栅有两个与沟槽对应的突出部；n+源和漏的结深与沟槽的深度相同。本发明可以提高栅长的等比例缩小能力，并提高编程注入效率、减小编程功耗。本发明制备方法与常规平面NORM闪存的制备方法完全兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分裂 槽栅快 闪存 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种分裂槽栅快闪存储器，该快闪存储器基于平面结构，沟道的上面为包括隧穿氧化层、氮化硅陷阱层和阻挡氧化层的栅堆栈结构，栅堆栈结构的上面为多晶硅控制栅，n+源和漏的表面与沟道中间的表面平行，其特征在于：沟道的两端与n+源和漏之间各有一个完全相同的沟槽，沟槽的正下方包括一部分的沟道和一部分的n+源或漏，在沟道的区域形成分裂槽栅结构，器件的沟道由两端的与沟槽对应的两个非平面沟道和中间的平面沟道组成，多晶硅控制栅和栅堆栈结构完全覆盖沟槽和沟道，多晶硅控制栅有两个与沟槽对应的突出部。
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