[发明专利]多晶硅的除硼方法无效
| 申请号： | 200710105965.7 | 申请日： | 2007-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101054178A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 陈朝;庞爱锁 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 多晶硅的除硼方法，涉及一种多晶硅，尤其是涉及一种方法简易、成本低、污染少的去除多晶硅中的硼杂质的方法。提供一种方法简易、成本低、工艺安全和较少污染的多晶硅的除硼方法。步骤为：将多晶硅块粉碎，球磨，筛选得硅粉；将硅粉用有机溶剂去油处理，并去除硅粉中的铁粉；将去油除铁的硅粉放到容器内，再将容器放到高温炉内，进行湿氧氧化，再冷却；将冷却后取出的硅粉放入氢氟酸溶液中腐蚀，去除样品表面的氧化层；用水反复清洗硅粉至流出的水显中性为止，将硅粉去水干燥，得目标产品。经过对硅粉样品的光谱分析表明，可一次将硅粉原料中的硼含量降低1～3倍，与酸洗提纯工艺完全兼容，也可有效地除铝。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 方法 | ||
【主权项】：
1.多晶硅的除硼方法，其特征在于其具体工艺步骤为：1)将多晶硅块粉碎，球磨，筛选得硅粉；2)将硅粉用有机溶剂去油处理，并去除硅粉中的铁粉；3)将去油除铁的硅粉放到容器内，再将容器放到高温炉内，进行湿氧氧化，再冷却；4)将冷却后取出的硅粉放入氢氟酸溶液中腐蚀，去除样品表面的氧化层；5)用水反复清洗硅粉至流出的水显中性为止，将硅粉去水干燥，得目标产品。
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