[发明专利]具有下表面沟道电荷补偿区域的半导体器件及方法有效
| 申请号： | 200710106369.0 | 申请日： | 2007-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101083282A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 杜尚晖;戈登·M·格里瓦纳 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 具有下表面沟道电荷补偿区域的半导体器件及方法。在一个实施例中，形成半导体器件，其具有接近器件沟道区的下表面电荷补偿区。电荷补偿沟道包括至少两个相反导电类型半导体层。沟道连接区域将沟道区电连接到至少两个相反导电类型半导体层中的一个。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 表面 沟道 电荷 补偿 区域 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：半导体材料区，其具有第一主表面；主体区，其形成在所述半导体材料区中；源极区，其形成在所述主体区中；沟道栅极结构，其包括栅极导电层，所述栅极导电层由栅极电介质层与所述沟道的侧壁分开，其中，所述主体区和源极区邻近所述沟道栅极结构，并且其中，所述沟道栅极结构设置成当所述半导体器件工作时，控制所述主体区中的沟道；以及下表面沟道补偿区，其形成在邻接所述沟道栅极结构的低的表面的所述半导体材料区中，其中，所述下表面沟道补偿区包括多个相反导电类型半导体层。
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