[发明专利]制造自对准鳍状场效应晶体管装置的方法

摘要

本发明揭示一种制造自对准鳍状场效应晶体管(self－aligned fin fieldeffect transistor，FinFET)装置的方法。利用对于浅沟绝缘结构的绝缘材料层的回蚀刻以露出半导体基底的部分侧壁，及对此露出的半导体基底的部分侧壁予以各向同性蚀刻，以形成具有更小厚度的鳍状半导体基底，而供形成具有三面的立体栅极结构。

主权项

1.一种制造自对准鳍状场效应晶体管装置的方法，包括：提供半导体基底；形成硬掩模于该半导体基底上，该硬掩模具有图案，该半导体基底被该硬掩模覆盖的区域为有源区，该有源区包括栅极区位于该有源区的中段区域；蚀刻该半导体基底未被该硬掩模覆盖的区域而形成沟槽，该半导体基底被该硬掩模覆盖的有源区形成鳍状结构；填入绝缘材料层于该沟槽中；回蚀刻该沟槽中位于该栅极区二侧的部分该绝缘材料层，以露出位于该栅极区的鳍状结构的上部；各向同性蚀刻该栅极区的鳍状结构上部的侧壁，以减小其厚度；移除该硬掩模；以及以栅极材料层填满该栅极区二侧的沟槽及覆盖该栅极区。