[发明专利]制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 200710106454.7 | 申请日： | 2007-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN101083225A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 牛岛浩斉 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造半导体装置的方法，包括：在衬底上形成金属互连；在金属互连的表面上形成含有钛(Ti)或钽(Ta)的难熔金属层；形成绝缘中间层，用以覆盖该难熔金属层；用含有有机氟化物的蚀刻气体有选择地对绝缘层进行蚀刻，以形成孔，在该孔中暴露出该难熔金属层；通过有机化学溶液来处理该孔的内部，以去除Ti或Ta的氟化物，同时将碳氟化合物保留在所述难熔金属层的表面上，该Ti或Ta的氟化物以及碳氟化合物是在蚀刻步骤期间生成的，并且出现在该孔的内部；以及对所述孔的内部进行等离子体处理，以去除该碳氟化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体装置的方法，包括：在衬底上形成金属互连；在所述金属互连的表面上形成含有钛(Ti)或钽(Ta)的难熔金属层；形成绝缘中间层，用以覆盖所述难熔金属层；用含有有机氟化物的蚀刻气体有选择地对所述绝缘中间层进行蚀刻，从而形成孔，在该孔中暴露出所述难熔金属层；用有机化学溶液来处理所述孔的内部，以去除Ti或Ta的氟化物，同时将碳氟化合物保留在所述难熔金属层的表面上，所述Ti或Ta的氟化物以及所述碳氟化合物是在所述蚀刻步骤期间生成的、并且出现在所述孔的内部；以及对所述孔的内部进行等离子体处理，以去除该碳氟化合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司，未经恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710106454.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：内燃机凸轮轴机油供给系统
- 下一篇：有机电致发光元件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
