[发明专利]用于使低温多晶硅薄膜面板平面化的多晶硅平面化溶液无效
| 申请号： | 200710106500.3 | 申请日： | 2007-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN101122026A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 金相仁;洪性辰 | 申请（专利权）人： | 马林克罗特贝克公司 |
| 主分类号： | C23F1/32 | 分类号： | C23F1/32;C23F1/40;C30B33/10;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 高含水、强碱性平面化溶液和其用于减低或本质上消除从总体平面多晶硅膜表面向上伸展的突出或凸起的方法，所述多晶硅膜通过低温多晶硅(LTPS)工艺使沉积在基体上的非晶硅膜退火而制得，所述方法包括使总体平面的多晶硅膜表面与所述高含水、强碱性溶液接触达在总体平面多晶硅膜没有明显蚀刻的条件下足以选择性蚀刻从总体平面的多晶硅膜表面的突出或凸起，所述高含水、强碱性溶液是一种具有12或更高的pH值、且含有水、至少一种强碱、和至少一种蚀刻速率控制剂的溶液。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 低温 多晶 薄膜 面板 平面化 溶液 | ||
【主权项】：
1.降低或本质上消除从多晶硅膜总体平面表面向上伸展的突出或凸起的方法，所述多晶硅膜通过低温多晶硅(LTPS)工艺使沉积在基体上的非晶硅膜退火而制得，所述方法包括：使总体平面多晶硅膜与高含水、强碱性多晶硅平面化溶液接触一定时间，其足以选择性蚀刻总体平面多晶硅膜表面的突出或凸起而总体平面多晶硅膜没有任何明显蚀刻，所述高含水、强碱性多晶硅平面化溶液包括一种含有水、至少一种强碱、和至少一种蚀刻速率控制剂且具有12或更高的pH值的溶液。
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