[发明专利]非易失性半导体存储装置有效
| 申请号： | 200710106511.1 | 申请日： | 2007-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN101083286A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 高野圭惠;德田笃史;田岛亮太;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/51;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种具有优异的写入特性及电荷保持特性的非易失性半导体存储装置。另外，本发明还提供一种能够降低写入电压的非易失性半导体存储装置。本发明是一种非易失性半导体存储装置，包括在彼此相离而形成的一对杂质区之间具有沟道形成区的半导体层或半导体衬底；以及设置在半导体层或半导体衬底的上方且与沟道形成区重叠的位置上的第一绝缘层、由不同氮化物化合物形成的多个层、第二绝缘层、以及控制栅。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储装置，包括：在一对杂质区之间包括沟道形成区的半导体区；在所述沟道形成区上的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上的包含不同氮化物化合物的多个层；以及在所述多个层上的控制栅。
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