[发明专利]导线结构、像素结构、显示面板、光电装置及其形成方法有效
申请号: | 200710106689.6 | 申请日: | 2007-06-15 |
公开(公告)号: | CN101075579A | 公开(公告)日: | 2007-11-21 |
发明(设计)人: | 林汉涂;陈建宏 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;G02F1/1362 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种导线结构、像素结构、显示面板、光电装置及其形成方法,包含提供基板;形成图案化介电层于该基板上,且其上定义第一开口,并且第一开口暴露出部分该基板;形成图案化有机材料层于该图案化介电层上,其上定义第二开口,该第二开口对应于部分该第一开口并暴露出已暴露的部分该基板;形成第一阻障层于该暴露出的部分该基板上及该图案化有机材料层上;形成金属层于该暴露出的部分该基板的该第一阻障层上及在该图案化有机材料层的该第一阻障层上;以及除去该图案化有机材料层及位于其上的该第一阻障层及该金属层。本发明具有有效形成金属导线的效果。 | ||
搜索关键词: | 导线 结构 像素 显示 面板 光电 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种导线结构的形成方法,包含:提供基板;在该基板上形成图案化介电层,且该图案化介电层具有第一开口,并且该第一开口暴露出部分该基板;在该图案化介电层上形成图案化有机材料层,且该图案化有机材料层具有第二开口,该第二开口对应于部分该第一开口并暴露出已暴露的部分该基板;在该暴露出的部分该基板上及该图案化有机材料层上形成第一阻障层;在该暴露出的部分该基板的该第一阻障层上及在该图案化有机材料层的该第一阻障层上形成金属层;以及除去该图案化有机材料层及位于其上的该第一阻障层及该金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造