[发明专利]透射反射式二极管基板及其制造方法有效
申请号: | 200710107027.0 | 申请日: | 2007-05-17 |
公开(公告)号: | CN101075033A | 公开(公告)日: | 2007-11-21 |
发明(设计)人: | 申亨范;金泓植 | 申请(专利权)人: | LG.菲利浦LCD株式会社 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;H01L27/02;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;祁建国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及LCD器件的透射反射式二极管基板及其制造方法,其中该透射反射式二极管基板具有用作LCD器件开关元件的二极管阵列。液晶显示器件的透射反射式二极管基板包括:反射区域,该反射区域包含二极管、围绕二极管的有机图案,以及位于有机图案上部的反射电极,其中二极管具有扫描电极、位于该扫描电极上的绝缘图案和位于扫描电极上方的像素电极;以及与该反射电极相邻的透射区域;其中在反射区域和透射区域中形成像素电极。 | ||
搜索关键词: | 透射 反射 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种用于液晶显示器件的透射反射式二极管基板,包括:反射区域,该反射区域包含二极管、围绕二极管的有机图案,以及位于有机图案上方的反射电极,其中所述二极管具有扫描电极、位于该扫描电极上的绝缘图案和位于扫描电极上方的像素电极;以及与该反射电极相邻的透射区域;其中所述像素电极形成在反射区域和透射区域中。
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