[发明专利]包含在衬底上的至少一个单晶层的元件的制造方法无效
| 申请号： | 200710107141.3 | 申请日： | 2007-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101299409A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 米歇尔·安西洛蒂;皮埃尔·托齐纳;弗雷德里克·莱纳特;奥利维耶·布里埃;奥利维耶·卡里奥;格拉尔德·加多 | 申请（专利权）人： | MHS工业 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/31;H01L21/3205;C30B25/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及生产包含单晶衬底的元件的方法，在所述衬底上沉积至少一个单晶层，该方法包括一个或几个通过在气体等离子体内部雾化金属或半导体而沉积单晶层的步骤，所述方法的特征在于原子沉积速率小于这些原子自身的均质化速率。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 衬底 至少 一个 单晶层 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.制造包含单晶衬底的元件的方法，在所述单晶衬底上沉积至少一个单晶层，所述方法的特征在于其包括一个或几个通过在气体等离子体内部雾化金属或半导体而沉积单晶层的步骤，和其特征在于所述原子沉积的速率小于所述原子自身的均质化速率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
