[发明专利]一种直接制备不含金属杂质碳纳米管的方法有效
| 申请号： | 200710107692.X | 申请日： | 2007-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101311110A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 张岩;李彦;周薇薇;金钟 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00;B01J23/14 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 周政 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明发现在碳纳米管的生长温度下，由于Pb对碳有一定的溶解能力，将铅盐负载在载体上，先氧化成铅的氧化物，再还原为铅纳米颗粒即可催化碳纳米管的生长。由于Pb具有较低的熔点，在碳纳米管的生长温度下很容易挥发，而且铅与碳不能形成稳定的化合物，因此本发明利用铅作为催化剂，采用化学气相沉积法直接制备得到不含金属杂质的碳纳米管。铅催化剂简单易得，成本低，且不需要复杂的处理，所制备的碳纳米管中没有金属催化剂杂质残留，完全不需要冗长繁琐的提纯过程，既节约了成本又避免了提纯对碳纳米管结构的破坏。此外，采用化学气相沉积法不需要昂贵的设备，工艺流程非常简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直接 制备 金属 杂质 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.铅用作制备碳纳米管的催化剂的用途。
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