[发明专利]制造平板显示装置的方法有效
申请号: | 200710107715.7 | 申请日: | 2007-04-28 |
公开(公告)号: | CN101221910A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | 崔东洙;申章焕;朱宁澈;朴镇宇 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H05B33/12;C03C27/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭鸿禧;常桂珍 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种制造平板显示装置的方法。在一个实施例中,该方法包括:i)在第一基底上形成多个发光单元,多个发光单元中的每个包括发光元件;ii)提供第二基底;iii)将玻璃料放置在第一基底和第二基底之间;iv)在第一基底和第二基底中的一个基底上照射具有第一强度的第一激光束,其中,第一激光设定为熔化玻璃料并结合第一基底和第二基底;v)在被第一激光束照射的区域上照射具有第二强度的第二激光束,以将第一基底或第二基底退火,其中,第二强度与第一强度不同。根据一个实施例,可容易地提高基底切割质量。 | ||
搜索关键词: | 制造 平板 显示装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造平板显示装置的方法,所述方法包括:在第一基底上形成多个发光单元,所述多个发光单元中的每个包括发光元件;提供第二基底;在所述第一基底和所述第二基底之间放置玻璃料;在所述第一基底和所述第二基底中的一个基底上照射具有第一强度的第一激光束,以熔化所述玻璃料并结合所述第一基底和所述第二基底;在所述第一激光束已照射的区域上照射具有第二强度的第二激光束,以使所述第一基底或所述第二基底退火,其中,所述第二强度与所述第一强度不相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造