[发明专利]研磨液及研磨方法无效
| 申请号： | 200710107753.2 | 申请日： | 2002-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101058713A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 天野仓仁;樱田刚史;安西创;深泽正人;佐佐木晶市 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的配线形成步骤等中用于研磨的研磨液及研磨方法。特别是提供被研磨面即使由多种物质形成仍可以得到高度平坦性的被研磨面，并且可以抑制研磨后的金属残渣、研磨损伤的研磨液以及利用其的化学机械研磨方法。本发明的研磨液，含有全氟链烷磺酸、氧化金属溶解剂和水。本发明的研磨方法包括：研磨具有表面由凹部及凸部组成的层间绝缘膜、沿表面被覆前述层间绝缘膜的阻隔导体层和填充前述凹部被覆阻隔导体层的导电性物质层的基体的导电性物质，使前述凸部的阻隔导体层露出的第1研磨工序，和一边至少向阻隔导体层及凹部的导电性物质层供给本发明的研磨液一边进行化学机械研磨使凸部的层间绝缘膜露出的第2研磨工序。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种研磨液，其特征在于，其含有全氟链烷磺酸、氧化金属溶解剂和水。
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