[发明专利]含有碳基衬底的铟镓铝氮发光器件以及其制造方法有效
| 申请号： | 200710107760.2 | 申请日： | 2007-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101295758A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 熊传兵;江风益;王立;汤英文;郑畅达;刘军林;刘卫华;王古平 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/782 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 330047江西省南昌市南京*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明的一个实施方式提供一种铟镓铝氮基半导体发光器件，其包括铟镓铝氮基半导体多层结构和支持铟镓铝氮基半导体多层结构的碳基衬底，其中该碳基衬底包括至少一个碳基层。该碳基衬底具有高热传导率和低电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 衬底 铟镓铝氮 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铟镓铝氮基半导体发光器件，其包括：铟镓铝氮基半导体多层结构；以及碳基衬底，其支持所述铟镓铝氮基半导体多层结构，其中所述碳基衬底包括第一碳基层。
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